特許
J-GLOBAL ID：201103095043971489
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203356
特許番号：特許第3884206号
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表層部に形成され、前記第1導電型とは逆の第2導電型の半導体層からなるベース領域と、
前記ベース領域の表層部に帯状の平面パターンを有するように形成された第1導電型の複数のソース領域と、
間欠的なストライプ状の平面パターンを有するように前記ソース領域の平面パターン内にのみ配置され、前記ベース領域を貫通する深さまで形成された複数のトレンチと、
前記複数のトレンチの各内壁面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記各トレンチの内部に埋め込まれたトレンチゲート電極と、
前記基板上に堆積された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口されたソース・ベース引き出し用のコンタクトホールを通じて前記ソース領域の表面の一部およびベース領域の表面の一部に共通にコンタクトするソース・ベース電極と、
前記トレンチゲート電極間を電気的に接続する接続部
とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/74 ( 200 6.01)
, H01L 29/749 ( 200 6.01)
H01L 29/78 655 G
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/74 X
, H01L 29/74 601 A
