特許
J-GLOBAL ID：201103095048006811
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049868
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339095
特許番号：特許第3967083号
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の受光側の第1の表面に形成された第1の半導体層と、この第1の半導体層の表面から前記半導体基板に達するとともに、互いに離間して形成された複数の第1導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の表面に選択的に形成されるとともに、前記第2の半導体層の各々を前記第1の半導体層を間に介して囲んで形成された第2導電型の第3の半導体層と、この第3の半導体層に設けられた第1の電極と、前記半導体基板の前記第1の表面に対して反対側の第2の表面に設けられた第2の電極とを備え、前記第2の半導体層と前記第3の半導体層間の前記第1の半導体層の領域は当該第2及び第3の半導体層各々より高抵抗であることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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