半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭58-040921
公開番号（公開出願番号）：特開昭58-169956
出願日： 1977年03月19日
公開日（公表日）： 1983年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電型で高不純物密度のコレクタ領域(11)と、第1の導電型で高不純物密度のエミッタ領域(12)とを有し、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に、少なくとも第1の導電型で高抵抗の第1チャンネル領域(13)及び第2チャンネル領域(113)とを有し、前記第1チャンネル領域内に第2の導電型ベース領域(114)を有し、主動作領域の少なくとも一部において前記ベース領域が完全に空乏化し、かつ前記ベース領域内に電位障壁が残るように、前記第1チャンネル領域、前記第2チャンネル領域ならびに前記ベース領域の不純物密度が設定されたバイポーラ・トランジスタにおいて、前記第1チャンネル領域の不純物密度は前記第2チャンネル領域の不純物密度よりも高く、かつ前記ベース領域と前記エミッタ領域の間に前記第1チャンネル領域の少なくとも一部が存在する様に配置されたことを特徴とするトランジスタを少なくとも一部に含んだ半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/082 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/08 101 B 7210-4M , H01L 27/06 101 S 7210-4M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特公昭45-016736
特開昭49-135585

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