特許
J-GLOBAL ID：201103095080812978
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-219253
公開番号（公開出願番号）：特開平3-083372
特許番号：特許第2946546号
出願日： 1989年08月26日
公開日（公表日）： 1991年04月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成された第1導電型の第1および第2の半導体領域と、前記第1および第2の半導体領域の表面領域内にそれぞれ形成された第2導電型の第3および第4の半導体領域と、前記第1および第2の半導体領域の表面領域内にそれぞれ前記第3または第4の半導体領域とは隔離されて形成された第2導電型の第5および第6の半導体領域と、前記第3の半導体領域の表面領域内に形成された第1導電型の第7および第8の半導体領域と、前記第4の半導体領域の表面領域内に形成された第1導電型の第9および第10の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第4の半導体領域とを接続する第1の接続導体と、前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域とを接続する第2の接続導体とを具備し、前記第5の半導体領域、前記第1の半導体領域並びに前記第3の半導体領域によって前記第3の半導体領域をコレクタ領域とする負荷用横型バイポーラトランジスタが、また、前記第6の半導体領域、前記第2の半導体領域並びに前記第4の半導体領域によって前記第4の半導体領域をコレクタ領域とする負荷用横型バイポーラトランジスタが、それぞれ構成され、前記第7の半導体領域および前記第8の半導体領域、前記第3の半導体領域並びに前記第1の半導体領域によって前記第1の半導体領域をコレクタ領域とする駆動用縦型バイポーラトランジスタが、前記第9の半導体領域および前記第10の半導体領域、前記第4の半導体領域並びに前記第2の半導体領域によって前記第2の半導体領域をコレクタ領域とする駆動用縦型バイポーラトランジスタが、それぞれ構成されている半導体記憶装置において、前記負荷用横型バイポーラトランジスタのエミッタ電極は、前記第5および第6の半導体領域の前記第3の半導体領域または前記第4の半導体領域から離隔した位置に形成されており、かつ、前記第5および第6の半導体領域は、前記エミッタ電極と接触する第1、第2の領域と、前記第3の半導体領域または前記第4の半導体領域と対向して形成された第3、第4の領域と、前記第1の領域と前記第3の領域との間および前記第2の領域と前記第4の領域との間に形成された高抵抗領域とを有していることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8229
, H01L 27/102
