特許

J-GLOBAL ID：201103095082858762

半導体装置の検査装置及び検査方法

発明者： 竹田 邦弘
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305192
特許番号：特許第3589938号
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置におけるリーク電流の発生箇所を特定する検査装置において、前記半導体装置に磁場を印加する磁場印加手段と、前記磁場内において前記半導体装置の配線に電流を流す電源手段と、前記磁場内で電流を流すことにより前記配線に発生する応力を検出する応力検出手段と、半導体装置の配線パターンを観察する観察手段と、前記応力検出結果及び配線パターンの観察結果を画像として表示する画像表示手段と、を有することを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (4件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/302 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01R 31/28 H ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 S ,  G01R 31/28 L