特許
J-GLOBAL ID：201103095200864837
酸化物の選択的エッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524208
特許番号：特許第3921502号
出願日： 2001年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板をプラズマエッチングするに当たり、
NH3、NF3及びO2を含むガス状混合物を、半導体基板を含むプラズマ室の上流に設けられたプラズマ源室に導入し;
前記プラズマ源室内でガス状混合物のプラズマを発生させ;
前記プラズマをプラズマ源室の下流でプラズマ室に流入させ;
前記半導体基板をプラズマと接触させて非ドープ酸化物を除去することを特徴とする半導体基板のプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/302 102
, H01L 21/90 A
