特許
J-GLOBAL ID:201103095283525532

同調可能半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川口 義雄 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-306396
公開番号(公開出願番号):特開平2-188985
特許番号:特許第2776922号
出願日: 1989年11月24日
公開日(公表日): 1990年07月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】モノリシック半導体プレート(2)を含む同調可能半導体レーザーであって、該プレートは縦方向に沿って伸び且つ種々の組成と厚さとを有する層(C1、C2、C3、C4)からなり、該厚さは重層方向に重ねられており、該層は縦方向及び側方向に沿って延び、且つ/又は互いに連続し、該層は、該縦方向に沿って伸び且つ該縦方向に沿って伝搬する光を案内するようにより低い屈折率を有する閉込め層(C1、C4)間に該重層方向及び側方向に置かれる内部光案内(C2、C3)であって、該光案内自体は隣接層よりも禁止帯幅の狭い活性層(C2)を少なくとも1つ含み、該閉込め層の第1及び第2層(C1、C4)は、注入電流がこれら2つの層の一方から他方に流れるならば該電流が該光案内を通過してそこに光学利得を生じさせ且つ/又はそこで屈折率を制御するに適した自由担体の濃度を生じさせるように第1及び第2の反対の伝導率型を有する内部光案内(C2、C3)と、該縦方向に相互に連続し、且つ該活性層が該光の増幅を可能にするに適した増幅厚さを有する増幅区域(1)、相同調区域(S3)、及び該光案内の第1端部に位置するとともにピッチを有する屈折格子を構成し且つ該格子が制御可能な等価ピッチを有する該光に対する分布ブラッグ(Bragg)反射器(R)の形成に寄与するように、該光案内に属する格子層(C3)の厚さが該縦方向に沿って交互に変動し、該格子ピッチに対する該等価ピッチの比率は該格子区域内の制御層(C2)の制御可能な屈折率を介して制御され得る格子区域(S2)を含む3つの区域とからなり、該レーザが更に、該光の発生及び/又は増幅に適した正の光学利得を該活性層内に引き起こすために該注入電流を構成する増幅電流を通過させるために該増幅区域内に配置されている増幅電極(E1、EC)と、該制御層(C2)の屈折率を制御し、それにより該光に関する該相同調区域の光学長さを制御するために該注入電流を構成する相同調電を通過させるために該相同調区域(S3)内に配置されている相同調電極(E3、EC)と、該分布反射器の該等価ピッチ制御するために該注入電流を構成する格子制御電流を通過させるために該格子区域(S2)内に配置されている格子制御電極(E2、EC)と、該格子制御電流の値を介して制御され得る中央周波数を有する該光を放出するのに適したレーザ発振器を構成するように該格子区域から離れた該光案内の第2端部に位置し、該発振器の安定単一モード動作は該相同調電流の対応値を制御することにより得ることができる第2反射器(4)とを含み、 前記制御層を内部に形成し且つ広い同調範囲及び/又は該レーザに対する狭いスペクトル線幅を得るために該活性層(C2)が、少なくとも前記格子区域(S2)の方向に伸びており該格子区域では該増幅厚さより大きい厚さを有することを特徴とするレーザ。
IPC (1件):
H01S 3/18
FI (1件):
H01S 3/18
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-155983
  • 特開昭63-278290

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