微細パターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-109932
公開番号（公開出願番号）：特開平2-288325
特許番号：特許第3007095号
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1990年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体上に、感度が低い第1のレジストを堆積し、この第1のレジスト上に感度が高い第2のレジストを堆積し、さらにこの第2のレジスト上に感度が中程度の第3のレジストを堆積した後、形成すべきパターンの露光を熱電界型エミッタより放射された収束電子ビームで行う微細パターンの形成方法において、上記熱電界型エミッタは、ジルコニアコートタングステンからなり、かつエミッタ先端径が0.4μm乃至0.6μmの範囲内にあることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (3件)：