特許

J-GLOBAL ID：201103095444500306

半導体装置の製造方法

発明者： 工藤 和久 ,  矢野 正樹 ,  小西 敏文 ,  亀井 敏和 ,  松島 隆明 ,  町田 克之
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-085893
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216812
出願日： 2010年04月02日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】複数の顧客による各々異なるLSIが共同で作製された基板を、守秘性が得られた状態で各々の顧客に提供できるようにする。【解決手段】特定の顧客への提供対象とするLSIチップ領域331以外の領域が開放した開口部307aを備えるマスクパターン307を形成する。次に、マスクパターン307をマスクとし、開口部307に露出しているLSIチップ領域332をエッチング除去し、ブラインド領域301aを形成する。ブラインド領域301aの形成では、第1配線層302,第2配線層303,および第3配線層304を除去し、これらの下層の一部までを除去する。【選択図】 図3A

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に配線層を備える第1LSIチップ領域および第2LSIチップ領域を作製する工程と、 前記第1LSIチップ領域以外の領域の前記配線層を除去してブラインド領域を形成する工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L21/88 Z ,  H01L21/02 Z

Fターム (16件)：

5F033HH08 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR27 ,  5F033SS21 ,  5F033VV13 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX32 ,  5F033XX34 ,  5F033XX36