パターン形状計測方法、半導体装置の製造方法、およびプロセス制御システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-171111
公開番号（公開出願番号）：特開2011-027461
出願日： 2009年07月22日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】半導体デバイスの微細化に対して、プロセスマージンが狭小な場合でも半導体パターンの形状計測を高精度で行うことができるパターン形状計測方法を提供する。【解決手段】パターン形状計測方法において、ベストマッチとなる計算波形が選出不可能な場合は、形状パラメータの内、少なくとも1つのパラメータを、パターン形状計測に依らない計測方法を用いる他計測装置にて得られた情報に基づいて固定値とし、再度、ライブラリと検出波形のマッチングを行い、ベストマッチとなる計算波形を選出するステップと、ベストマッチした計算波形より対象パターンの形状情報を求める。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パターン付基板の対象パターンに光を照射し、その反射光または回折光に基づいた演算部の処理により、前記パターン付基板上のパターンの形状を計測するパターン形状計測方法であって、計測対象の前記パターン付基板の対象パターンの予測形状から計算モデルを作成し、前記計算モデルに基づいて、前記対象パターンに光を照射した際の反射光または回折光の計算波形を算出する第1ステップと、前記計算モデルの形状パラメータを逐次変化させてシミュレーションを行い、前記シミュレーションにより得た複数の計算波形からライブラリを作成し、データベースに格納する第2ステップと、計測対象の前記パターン付基板の対象パターンに光を照射し、その反射光または回折光から検出波形を得る第3ステップと、前記データベースに格納されたライブラリと前記検出波形のマッチングを行い、ベストマッチとなる計算波形を選出する第4ステップと、前記ベストマッチとなる計算波形を選出する第4ステップで、前記ベストマッチとなる前記計算波形が選出不可能な場合は、前記形状パラメータの内、少なくとも1つのパラメータを、前記第1〜第4ステップに依らない計測方法を用いる他計測装置にて得られた情報に基づいて固定値とし、再度、前記ライブラリと前記検出波形のマッチングを行い、ベストマッチとなる計算波形を選出する第5ステップと、前記ベストマッチした前記計算波形より前記対象パターンの形状情報を求める第6ステップとを有することを特徴とするパターン形状計測方法。

IPC (2件)：

G01B 11/25 , G03F 1/08

FI (3件)：

G01B11/25 G , G03F1/08 S , G01B11/25 H

Fターム (26件)：

2F065AA22 , 2F065AA24 , 2F065AA35 , 2F065AA45 , 2F065AA53 , 2F065CC19 , 2F065FF42 , 2F065FF48 , 2F065FF51 , 2F065GG00 , 2F065GG24 , 2F065HH07 , 2F065JJ03 , 2F065LL12 , 2F065LL33 , 2F065LL42 , 2F065LL46 , 2F065NN20 , 2F065QQ00 , 2F065QQ17 , 2F065QQ23 , 2F065QQ39 , 2F065QQ41 , 2H095BD03 , 2H095BD11 , 2H095BD20

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