特許
J-GLOBAL ID：201103095518301190
II-VI族化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 亮一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132735
特許番号：特許第3026340号
出願日： 1999年05月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 成長室中に原料多結晶と種結晶支持部材上に保持された種結晶とを対向配置し、前記種結晶上に昇華法又はハロゲン化学輸送法でII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶支持部材を結晶成長温度において安定で可視光及び/又は赤外光に対して透明な材料で構成し、かつ前記種結晶支持部材の少なくとも種結晶と接触する面に結晶成長温度において安定で可視光及び/又は赤外光を透過する材料よりなる緩衝膜を形成し、該緩衝膜を介して種結晶を前記種結晶支持部材上に保持して結晶成長を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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