特許
J-GLOBAL ID:201103095538480112

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-066035
公開番号(公開出願番号):特開2001-257232
特許番号:特許第3654116号
出願日: 2000年03月10日
公開日(公表日): 2001年09月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数の電極のそれぞれが対向する二辺に沿って形成された半導体チップにおける前記電極が形成された側の面と、配線パターンが形成されており前記半導体チップの搭載領域に少なくとも一つの貫通穴が形成された基板との間に、樹脂を、前記貫通穴に連通する空間を有するように前記半導体チップの前記二辺に沿って設ける第1工程と、 前記半導体チップと前記基板との一方を他方に押圧し、前記半導体チップと前記基板とを接着する第2工程と、 を含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L 21/60 311 S
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る