不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320909
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123489
特許番号：特許第3961806号
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】それぞれ独立したメモリセルアレイを含む複数のバンクと、該複数のバンクうち1つのバンクに対応して設けられるパスワード格納領域と、バンクアドレスをデコードしてバンク選択信号を生成するバンクデコーダと、該1つのバンクに対して書き換え指示又は読み出し指示を出力する第1のバンク選択回路と、該1つのバンク以外の該複数のバンクのそれぞれに対して書き換え指示又は読み出し指示を出力する複数の第2のバンク選択回路と、第1のコマンド入力の場合に該バンク選択信号により選択される該第1或いは第2のバンク選択回路が書き換え指示又は読み出し指示を出力し、第2のコマンド入力の場合に該第1のバンク選択回路が該バンク選択信号とは独立に書き換え指示を出力し且つ該第2のバンク選択回路が該バンク選択信号で選択されると読み出し指示を出力するように、該第1及び第2のバンク選択回路を制御するコマンドデコーダ&バンクコントロール回路を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) , G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 17/00 601 P , G11C 17/00 614 , G11C 17/00 633 A

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