特許

J-GLOBAL ID：201103095805397726

化合物半導体集積回路の製造方法

発明者： 古畑 直規
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336584
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156179
特許番号：特許第3450242号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 III-V族化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタと、下部電極と上部電極間にキャパシタ絶縁膜が介在するMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタとを同一半導体基板上に形成する化合物半導体集積回路の製造方法において、前記MIMキャパシタを構成する前記下部電極と前記上部電極とが、それぞれ前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコンタクト電極のエミッタ電極、ベース電極及びコレクタ電極のいずれかの電極の形成と同一工程で形成されることを特徴とする化合物半導体集積回路の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/737

FI (5件)：

H01L 29/205 ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 P ,  H01L 29/72 H