特許
J-GLOBAL ID：201103095842836373
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-101910
公開番号（公開出願番号）：特開平2-280357
出願日： 1989年04月21日
公開日（公表日）： 1990年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】所望の素子が形成された半導体基板上に第1層配線を形成し、この上に層間絶縁膜を形成して第2層配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程は、アルカリイオン含有量が5ppm以下,かつ遷移金属イオン含有量が1ppm以下であるターゲットガラスを、研磨加工した後にその表面をエッチング処理して用いて、スパッタ法によりガラス絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316 Y 7352-4M
