特許
J-GLOBAL ID:201103096124920290

フィルムキャリアの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-038297
公開番号(公開出願番号):特開2001-230282
特許番号:特許第4359992号
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 少なくとも以下の工程[a]〜[f]を含んでいることを特徴とするフィルムキャリアの製造方法。 [a]長尺状の絶縁フィルムの一方の面に第一導体層を形成すると共に、他方の面に12±3μm厚の第二導体層を形成し、また、前記絶縁フィルムの両端に長手方向に沿って複数のスプロケットホールを形成する工程。 [b]前記第二導体層における導通孔形成領域を除去する工程。 [c]前記導通孔形成領域の除去により露出した絶縁フィルムにレーザ光を照射し、当該絶縁フィルムから第一導体層に達する導通用孔を形成する工程。 [d]前記各スプロケットホール及びその周辺部を覆うようにスプロケットホール保護層を形成する工程。 [e]前記スプロケット保護層の形成後、前記第二導体層上及び前記導通用孔にスパッタ蒸着を施して薄膜導体層を形成し、前記スプロケットホール保護層を剥離し、前記第一導体層上と、前記第二導体層上及び前記導通用孔内の薄膜導体層上とに電解めっき処理を施して金属導体層を形成する工程。 [f]前記金属導体層の形成後、前記第一導体層、前記第二導体層、前記薄膜導体層及び前記金属導体層をパターニング処理して配線パターンを形成する工程。
IPC (1件):
H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 21/60 311 W
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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