特許

J-GLOBAL ID：201103096328131480

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： 原田 裕次 ,  渡辺 武 ,  佐々見 武志 ,  須賀 祐輝 ,  長谷川 幸士
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-277699
公開番号（公開出願番号）：特開2011-162768
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、アルカリ現像液の作用によりアルカリ現像液溶解性が増大する高分子化合物。(R1はH、F、メチル基、又はトリフルオロメチル基。R2はC1〜10のフッ素化1価炭化水素基。AnはC1〜15の(n+1)価の炭化水素基又はフッ素化炭化水素基。nは1〜3の整数。)【効果】本発明により、繰り返し単位内に含フッ素アルキルカルボニルオキシ基を有し、アルカリ現像液の作用によりアルカリ現像液溶解性が増大する新規高分子化合物及びそれを添加剤として用いたレジスト材料が提供される。この高分子材料は波長200nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料から製造可能である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、アルカリ現像液の作用によりアルカリ現像液溶解性が増大することを特徴とする高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F 220/22 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F220/22 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504 ,  H01L21/30 502R

Fターム (39件)：

2H125AF17P ,  2H125AF36P ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN31P ,  2H125AN39P ,  2H125AN88P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC09P ,  4J100BC53R ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-032921   出願人：信越化学工業株式会社
• 重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-272029   出願人：ダイセル化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-314218   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-243981   出願人：信越化学工業株式会社