特許
J-GLOBAL ID:201103096349874130
熱電金属間化合物の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
田中 光雄
, 山崎 宏
, 佐藤 剛
, 矢野 正樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-538901
公開番号(公開出願番号):特表2011-510479
出願日: 2008年12月19日
公開日(公表日): 2011年03月31日
要約:
(1)成分A、BおよびXを供し、次いで、成分A、BおよびXの固相反応によって、充填スクッテルダイト構造およびAaBbXcの式を有する金属間化合物を形成し;(2)さらなるXの存在下、工程(1)において生成された充填スクッテルダイト構造を有する金属間化合物を溶融し;次いで(3)金属間化合物の相形成温度に等しいか、またはそれより高い温度でさらなるXの存在下、工程(2)の金属間化合物をアニーリングすることを含むことを特徴とする金属間化合物の製造方法。
請求項(抜粋):
(1)成分A、BおよびXを供し、ここに、A、BおよびXは以下の通りであり:
Aは、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Yb、In、Ca、Sr、BaおよびTl、およびそれらの2以上の混合物から選択され;
Bは1以上の遷移金属原子から選択され;かつ
Xは1以上のIIIA〜VIIA族原子から選択される;
次いで、成分A、BおよびXの固相反応によって、充填スクッテルダイト構造および
AaBbXc
[式中、A、BおよびXは前記定義に同じであり、
aは、すべてのA原子の和であり、0<a≦1である;
bは、すべてのB原子の和であり、3.5≦b≦4であって;
cは、すべてのX原子の和であり、8≦c≦12である]
の式を有する金属間化合物を形成し、
(2)さらなるXの存在下、工程(1)において生成された充填スクッテルダイト構造を有する金属間化合物を溶融し;次いで
(3)金属間化合物の相形成温度に等しいか、またはそれより高い温度にてさらなるXの存在下、工程(2)の金属間化合物をアニーリングする
ことを含む、金属間化合物の製造方法。
IPC (8件):
H01L 35/34
, H01L 35/14
, C22C 28/00
, C22C 13/02
, C22C 11/06
, C22C 11/08
, C22C 12/00
, C22C 1/00
FI (8件):
H01L35/34
, H01L35/14
, C22C28/00 B
, C22C13/02
, C22C11/06
, C22C11/08
, C22C12/00
, C22C1/00 Q
引用特許: