光電子集積装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-302450
公開番号（公開出願番号）：特開平3-161967
特許番号：特許第2847820号
出願日： 1989年11月21日
公開日（公表日）： 1991年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光信号を入射して増幅して出射する光増幅素子と、この光増幅素子から出射されて空間を伝播する光信号を入射して電気信号に変換する導波型の光電変換素子とが同一の半絶縁性基板上に形成され、前記光増幅素子と前記光電変換素子とは、第1の導電型の第1の半導体からなる第1の層と、前記第1の層上に形成されるとともに第2の半導体からなる第2の層と、前記第2の層上に形成されるとともに第2の導電型の第3の半導体からなる第3の層とを同一工程によって同時形成した同一の層構造を有することを特徴とする光電子集積装置。

IPC (4件)：