特許

J-GLOBAL ID：201103096362561087

膜電極接合体の製造方法及び製造装置並びに膜電極接合体

発明者： 野殿 光紀
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091170
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249317
出願日： 2011年04月15日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】膜電極接合体に生じる皺を抑制できる膜電極接合体の製造方法を提供する。【解決手段】第一支持基材、及び、第一支持基材上に貼り付けられた高分子電解質膜を有する積層体を得る工程と、高分子電解質膜上に第一触媒層を形成する工程と、第一触媒層が形成された高分子電解質膜の上に第二支持基材を貼り付ける工程と、第二支持基材が貼り付けられた高分子電解質膜から第一支持基材を剥離する工程と、第一支持基材が剥離された高分子電解質膜上に第二触媒層を形成する工程と、を備え、第一支持基材と高分子電解質膜との間の剥離強度A、及び、第二支持基材と高分子電解質膜との間の剥離強度Bが、A<Bを満たす膜電極接合体の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第一支持基材、及び、前記第一支持基材上に貼り付けられた高分子電解質膜を有する積層体を得る工程と、 前記高分子電解質膜上に第一触媒層を形成する工程と、 前記第一触媒層が形成された前記高分子電解質膜の上に第二支持基材を貼り付ける工程と、 前記第二支持基材が貼り付けられた高分子電解質膜から前記第一支持基材を剥離する工程と、 前記第一支持基材が剥離された高分子電解質膜上に第二触媒層を形成する工程と、 を備え、前記第一支持基材と前記高分子電解質膜との間の剥離強度A、及び、前記第二支持基材と前記高分子電解質膜との間の剥離強度Bが、A<Bを満たす膜電極接合体の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  H01M 4/88

FI (3件)：

H01M8/02 E ,  H01M8/10 ,  H01M4/88 K

Fターム (8件)：

5H018AA06 ,  5H018DD08 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026CX04 ,  5H026CX05 ,  5H026CX07 ,  5H026EE18