半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028628
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228444
特許番号：特許第3328931号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】配線層上に絶縁膜が積層形成されている半導体装置を製造する方法であって、前記絶縁膜を形成するに際して、下側絶縁層を形成し、該下側絶縁層上に加熱処理に対する流動性が前記下側絶縁層より高い上側絶縁層を形成し、該上側絶縁層と前記下側絶縁層とにわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に前記加熱処理を行うことで前記上側絶縁層を流動させて該上側絶縁層における前記孔の部分を塞ぐことで前記下側絶縁層における前記穴の部分を空孔として残し、前記絶縁膜は前記上側絶縁層上の第1の追加絶縁層を含んでおり、該第1の追加絶縁層は前記加熱処理に対する流動性が前記上側絶縁層より低いものであり、前記孔開けは前記第1の追加絶縁層をも貫通するように行われることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/314 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 21/314 M , H01L 21/316 M , H01L 21/316 P , H01L 21/318 M , H01L 21/90 M , H01L 21/90 N

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-207055
特開平3-097258
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-092234 出願人：日本鋼管株式会社

審査官引用 (3件)

特開平4-207055
特開平3-097258
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-092234 出願人：日本鋼管株式会社

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