特許
J-GLOBAL ID：201103096745785515
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-140897
特許番号：特許第3638550号
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 データを記憶するメモリセルの複数によりノーマルカラムアドレス部分とスペアカラムアドレス部分とが構成されており、カラムアドレス信号に基づくカラム選択信号によってカラムを選択するようにした半導体記憶装置において、 前記カラムアドレス信号と、前記スペアカラムアドレス部分に対応するスペアカラムアドレス信号とを比較して、その比較結果に基づいて、前記カラムアドレス信号がノーマルカラムアドレス信号かスペアカラムアドレス信号かを判定する、比較判定手段を備え、 複数の信号からなるスペアアドレスの各々を0か1かによって信号として発生させるスペアアドレス発生回路を具備し、このスペアアドレス発生回路から出力されるスペアアドレス信号とカラムアドレス信号を前記比較判定手段で比較し、その比較結果に基づいて、前記カラムアドレス信号がノーマルカラムアドレス信号かスペアカラムアドレス信号かを判定する比較手段を保持し、 入力されたロウアドレスのデコーダによるデコード信号に基づいて前記スペアアドレス発生回路からスペアカラムアドレスを信号として発生させることを特徴とする、半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
G11C 29/00 603 G
, G11C 29/00 603 F
, G11C 29/00 603 K
, G11C 29/00 603 Y
