特許

J-GLOBAL ID：201103096994184513

不揮発性半導体記憶装置の駆動方法

発明者： 大谷 滋宏 ,  山野 要
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148088
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343091
特許番号：特許第3762658号
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の表面に形成されたソースおよびドレインと、上記ソース,ドレインおよび上記ソース,ドレイン間のチャネル領域上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートと、上記フローティングゲート上に層間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートを有するフローティングゲート型金属酸化膜半導体トランジスタから成るメモリセルが、マトリックス状に配列されたメモリセルアレイを備えると共に、同一行にある上記メモリセルのコントロールゲートを共通に接続するワード線と、同一列にある上記メモリセルのドレインを共通に接続するローカルビット線と、このローカルビット線に第1金属酸化膜半導体トランジスタを介して接続されたメインビット線と、同一列にある上記メモリセルのソースを共通に接続するローカルソース線と、このローカルソース線に第2金属酸化膜半導体トランシスタを介して接続された共通ソース線と、上記メインビット線に第3金属酸化膜半導体トランジスタを介して接続されて基準電位を供給する電源線を備えた不揮発性半導体記憶装置の駆動方法であって、 消去時に、 上記第3金属酸化膜半導体トランジスタをオフ状態にし、 上記半導体基板に第1電圧を印加する一方、上記第1金属酸化膜半導体トランジスタを半導通状態にして、上記ローカルビット線を充電することによって上記メインビット線を充電し、 上記ワード線を介して上記コントロールゲートに第2電圧を印加して、上記フローティングゲートからチャネル領域に、上記トンネル酸化膜を介して電子を放出させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の駆動方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 635