半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121698
特許番号：特許第4644926号
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッキチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構成される電解研磨チャンバと、前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出および前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出を行う搬送装置を設置したもので、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバのそれぞれにゲートバルブを介して接続された搬送チャンバとを備え、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバとの間においての基板の搬送が、前記搬送チャンバを介して当該基板を大気に開放することなく行われる半導体製造装置。

IPC (9件)：

C25D 19/00 ( 200 6.01) , C23C 18/16 ( 200 6.01) , C25D 7/12 ( 200 6.01) , C25F 3/30 ( 200 6.01) , H01L 21/288 ( 200 6.01) , H01L 21/3063 ( 200 6.01) , H01L 21/306 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (9件)：

C25D 19/00 C , C23C 18/16 B , C25D 7/12 , C25F 3/30 , H01L 21/288 E , H01L 21/306 L , H01L 21/306 F , H01L 21/88 R , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-264564 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
めっき膜の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-090295 出願人：日立電線株式会社
特開昭60-138090

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