特許
J-GLOBAL ID：201103097100106440
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
220100025 工業技術院四国工業技術研究所長 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080504
特許番号：特許第3032827号
出願日： 1999年03月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成させたのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、前記遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させること、及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/36
, H01L 21/208 Z
