特許

J-GLOBAL ID：201103097108609416

CMOSイメージセンサ、及びその製造方法

発明者： 松尾 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 須山 佐一 ,  須山 英明 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  熊井 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-165828
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023470
出願日： 2009年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】画素分離領域を狭小化することによって画素数を十分に増大させることができ、隣接する画素に入射した可視光の前記画素分離領域に対する透過を抑制し、高い解像度を得ることが可能なCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】第一導電型の半導体基板と、前記第一導電型の半導体基板上に形成され、入射した光をキャリアに変換するフォトダイオードを備え、前記第一の導電型とは異なる第二の導電型の画素領域と、前記第一の導電型であり、前記半導体基板前とともに前記画素領域を取り囲むように形成された素子分離領域と、前記画素分離内に形成された空洞と、前記画素分離領域上に形成されたゲート電極と、を備えるようにしてCMOSイメージセンサを構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板と、 前記第一導電型の半導体基板上に形成され、入射した光をキャリアに変換するフォトダイオードを備え、前記第一の導電型とは異なる第二の導電型の画素領域と、 前記第一の導電型であり、前記半導体基板前とともに前記画素領域を取り囲むように形成された素子分離領域と、 前記画素分離内に形成された空洞と、 前記画素分離領域上に形成されたゲート電極と、 を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (12件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47