特許

J-GLOBAL ID：201103097124071370

SiC単結晶の製造装置及び製造方法

発明者： 坂元 秀光 ,  中島 郷栄 ,  藤原 靖幸 ,  池村 祐二
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-256066
公開番号（公開出願番号）：特開2011-098870
出願日： 2009年11月09日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】溶液法によってSiC単結晶を製造する際、SiC多結晶の析出を抑制することができるSiC単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶の原料となる原料融液1を収容するための黒鉛坩堝2と、該黒鉛坩堝2の周囲に配置された加熱手段3と、前記黒鉛坩堝2の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部5とを備え、該種結晶保持部5の下端に保持された種結晶4を前記黒鉛坩堝2内の原料融液1に浸漬させることにより種結晶4の下にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝2の内壁と前記原料融液1の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝2の内壁上に断熱材6が配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC単結晶の原料となる原料融液を収容するための黒鉛坩堝と、該黒鉛坩堝の周囲に配置された加熱手段と、前記黒鉛坩堝の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部とを備え、該種結晶保持部の下端に保持された種結晶を前記黒鉛坩堝内の原料融液に浸漬させることにより種結晶の下にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝の内壁上に断熱材が配置されたことを特徴とする、SiC単結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/06

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/06

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EG02 ,  4G077EG05 ,  4G077HA05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA52