特許
J-GLOBAL ID：201103097262091845

イオン注入機システムにおける改良した均一チューニングのための技術

発明者：
モルガン ディー エヴァンス

モルガン ディー エヴァンス について


出願人/特許権者：
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド

ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  石川 雅章 ,  山崎 孝博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-502045
公開番号（公開出願番号）：特表2011-517837
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
イオン注入機システムにおける均一チューニングのための技術を開示する。特定の例示的な実施態様で、その技術は、改良した均一チューニングのための方法として実現することができる。本方法は、イオン注入機システムでイオンビームを生成するステップを有する。本方法は、イオンビーム経路に沿って第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップも有する。本方法は、さらに、前記イオンビーム経路に沿って第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップを有する。また、本方法は、少なくとも一部、前記第1のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルに基づいて、前記イオンビーム経路に沿って第3のイオンビーム電流密度プロファイルを決定するステップを有する。
請求項（抜粋）：
イオンビームの均一チューニングのための方法であって、 該方法は、 イオン注入機システムでイオンビームを生成するステップと、 イオンビーム経路に沿って第1のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップと、 前記イオンビーム経路に沿って第2のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップと、 少なくとも一部、前記第1のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記第2のイオンビーム電流密度プロファイルに基づいて、前記イオンビーム経路に沿って第3のイオンビーム電流密度プロファイルを決定するステップと、を有する、イオンビームの均一チューニングのための方法。
IPC (2件)：
H01J 37/317 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01J37/317 C ,  H01L21/265 T ,  H01L21/265 603Z
Fターム (2件)：
5C034CD01 ,  5C034CD07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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