特許

J-GLOBAL ID：201103097431367260

半導体装置及び選択方法

発明者： 林 智規
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-100853
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233190
出願日： 2010年04月26日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】アクセスロスや電力損失を増加させることなく、半導体装置に記憶されたデータの消失を回避する。【解決手段】複数のメモリセルのそれぞれに対応する複数のワード線を有し、オートリフレッシュの実行を指示する外部リフレッシュコマンドが外部から発行される度に、複数のワード線を所定の本数ずつ順次選択し、選択されたワード線に対応するメモリセルをリフレッシュする半導体装置であって、温度を検出する温度検出部と、検出された温度が所定の温度以下である場合、外部リフレッシュコマンドが発行される度に、複数のワード線を所定の本数ずつ順次選択し、検出された温度が所定の温度よりも高い場合、外部リフレッシュコマンドが発行される度に、複数のワード線を、所定の本数よりも多い本数ずつ順次選択するワード線選択制御部と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルのそれぞれに対応する複数のワード線を有し、オートリフレッシュの実行を指示する外部リフレッシュコマンドが外部から発行される度に、前記複数のワード線を所定の本数ずつ順次選択し、該選択されたワード線に対応するメモリセルをリフレッシュする半導体装置であって、 温度を検出する温度検出部と、 前記検出された温度が所定の温度以下である場合、前記外部リフレッシュコマンドが発行される度に、前記複数のワード線を前記所定の本数ずつ順次選択し、前記検出された温度が前記所定の温度よりも高い場合、前記外部リフレッシュコマンドが発行される度に、前記複数のワード線を、前記所定の本数よりも多い本数ずつ順次選択するワード線選択制御部と、を有する半導体装置。

IPC (1件)：

G11C 11/406

FI (1件)：

G11C11/34 363L

Fターム (13件)：

5M024AA15 ,  5M024AA78 ,  5M024AA92 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE02 ,  5M024EE26 ,  5M024HH20 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10