特許

J-GLOBAL ID：201103097495208823

発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法

発明者： 細野 秀雄 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛 ,  河村 賢一 ,  猿倉 信彦 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024843
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210864
特許番号：特許第3398638号
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 透明基板上に積層したバンドギャップ付近の固有発光のみを示す、X線回折法においてZnOの結晶相の(0002)面のロッキングカーブにおける半値幅が1度以下のn型ZnO層上に、SrCu2O2、CuAlO2 、またはCuGaO2からなるp型半導体のうちの一つを積層して形成したp-n接合からなる紫外発光ダイオードであって、該透明基板は、原子状に平坦化したイットリア部分安定化ジルコニア(YSZ)(111)単結晶基板であり、該透明基板上に透明負電極層を有し、該透明負電極層上にヘテロエピタキシャル成長したキャリア濃度が1×1017〜1×1020の範囲のZnO層を発光層として有し、ZnO層上にp型半導体層を正孔注入層として有し、p型半導体層側に正電極層を有することを特徴とする紫外発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363 ,  H01S 5/327

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/363 ,  H01S 5/327

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-204432   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 金属酸化物系の透明導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121414   出願人：旭硝子株式会社
• 成膜用基板の成膜面の仕上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342465   出願人：住友電気工業株式会社
• 透明導電膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033396   出願人：ホーヤ株式会社, 東京工業大学長
• 透明導電膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-184227   出願人：カシオ計算機株式会社