半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236767
特許番号：特許第3474692号
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の一部に形成された活性領域と、上記活性領域の基板面から突出して形成され上記活性領域を取り囲む素子分離と、上記活性領域内の上記半導体基板上に形成された少なくとも1つのゲート電極と、上記素子分離と上記活性領域とに跨る領域上で上記ゲート電極の両側に、上記ゲート電極とほぼ平行に延びるように形成され、上記ゲート電極とは切り離された1対のダミー電極と、上記ゲート電極の両側方で上記ダミー電極と上記ゲート電極との間に位置する上記半導体基板内に不純物を導入して形成されたソース・ドレイン領域とを備え、上記ゲート電極及びダミー電極は、上記素子分離の上端面とほぼ同じ高さまで形成された下層膜とその上の上層膜とにより構成されており、上記ダミー電極の下層膜は、上記活性領域上で上記素子分離の側端面に接しており、上記ダミー電極の上層膜は、上記ダミー電極の下層膜と上記素子分離とに跨って形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (6件)：

G03F 1/08 B , G03F 7/20 521 , H01L 29/78 301 G , H01L 21/30 502 Z , H01L 29/78 301 Y , H01L 27/08 102 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-063437
特開昭60-124871
特開平3-187230

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