特許

J-GLOBAL ID：201103097574986939

気相成長装置

発明者： 太田 徹 ,  竹見 政義 ,  木村 晋治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-225076
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077171
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】製造コストを低く抑えつつ、ウェハ全面を均一な温度に加熱できる気相成長装置を提供する。【解決手段】反応炉10内に、上面にウェハ12を保持するウェハポケット16を有するトレイ14が配置されている。トレイ14の下面側にRFコイル18及び被加熱体24が配置されている。このRFコイル18により加熱された被加熱体24は、トレイ14を介してウェハ12を加熱する。ガス供給部20は、ウェハ12の表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉10内に供給する。ウェハ12の下面とウェハポケット16の底面の間に高熱伝導部材22が配置されている。高熱伝導部材22は、トレイ14よりも熱伝導率が高い材料からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応炉と、 前記反応炉内に配置され、上面にウェハを保持するウェハポケットを有するトレイと、 前記トレイの下面側に配置され、前記トレイを介して前記ウェハを加熱する熱源と、 前記ウェハの表面に薄膜を形成するためのガスを前記反応炉内に供給するガス供給部と、 前記ウェハの下面と前記ウェハポケットの底面の間に配置され、前記トレイよりも熱伝導率が高い材料からなる高熱伝導部材とを備えることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458

Fターム (30件)：

4K030BA01 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA01 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK03 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハ支持体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-180083   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス