半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184913
特許番号：特許第3608542号
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に複数の半導体素子をフェイスダウンの状態で接続する工程と、前記基板に外部導出リードを接続する工程と、前記基板と前記半導体素子と外部導出リードの少なくとも一部とを樹脂により封止する工程と、前記樹脂の一部と前記半導体素子の一部とを除去する工程と、前記半導体素子の前記樹脂より露出した部位に高熱伝導性部材を接着する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：