特許
J-GLOBAL ID：201103097862693806
固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160620
特許番号：特許第3315962号
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一導電型の第1の半導体層内の反対導電型の第2の半導体層に形成された受光ダイオードと、一導電型の第3の半導体層内の反対導電型の第4の半導体層に形成された、前記受光ダイオードに隣接する光信号検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた固体撮像素子において、前記受光ダイオードは、前記第2の半導体層の表層に一導電型の不純物領域を有し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、前記第4の半導体層の表層に一導電型のソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域と、該チャネル領域下のソース領域の近くの前記第4の半導体層内部に形成された反対導電型の高濃度埋込層と、該チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、前記不純物領域と前記ドレイン領域とが接続し、前記第1の半導体層と前記第3の半導体層とが接続し、前記第2の半導体層と前記第4の半導体層とが接続し、前記第2の半導体層の下の第1の半導体層の部分は、前記第4の半導体層の下の第3の半導体層の部分よりも深さ方向において厚くなっていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 U
, H01L 27/14 A
