特許

J-GLOBAL ID：201103097909531320

炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 小栗 英美 ,  廣瀬 富佐雄 ,  近藤 宏行
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046795
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226199
特許番号：特許第4310880号
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 黒鉛製の容器(1)内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素単結晶基板に昇華させた炭化珪素原料(6)を供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、 前記容器に、ガスを該容器の外部から流入させる流入口を設けると共に、前記ガスを該容器の外部に流出させる流出口を設け、前記流入口から前記ガスを前記容器内に流入させたのち、流速0.1〜10m/sで前記流出口から前記ガスを前記容器外に流出させることにより、前記容器の内壁面に沿ってガス(5)を流動させ、前記内壁面の表面に前記ガスによるガス流体層(5a)を形成させつつ、前記炭化珪素単結晶基板上に前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 23/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-321052   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 単結晶育成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-108897   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 気相成長装置及び結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-347202   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭62-037374