半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山崎宏 , 前田厚司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217499
特許番号：特許第3825948号
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体レーザチップを、リードフレーム、ステム、または、サブマウント等のダイボンド面の所定の位置に、導電性ダイボンドペーストを用いてダイボンドした半導体レーザ装置の製造方法において、前記導電性ダイボンドペーストを前記所定の位置に塗布する工程と、該塗布した導電性ダイボンドペーストを予備加熱した後に、半導体レーザチップを搭載する工程とを有し、前記予備加熱の温度は、前記導電性ダイボンドペーストの希釈剤が蒸散し始める温度以上、前記導電性ダイボンドペーストの熱硬化反応開始温度以下とすることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (2件)：