特許

J-GLOBAL ID：201103098124106552

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 田中 稔彦 ,  西山 岩男 ,  穴澤 俊久 ,  加茂 隆 ,  須賀 治
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  富士通セミコンダクター株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (3件)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-239296
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086809
出願日： 2009年10月16日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】EUVマスクのパターンにおける日向面側と日陰面側とで異物の成長量が異なることに起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制する。【解決手段】EUVリソグラフィ用のEUVマスク(多層膜反射マスク)のパターンにおける日向面側と日陰面側とにEUV露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、EUVマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する。決定された時期が到来した場合にEUVマスクを交換又はクリーニングし、該交換後又はクリーニング後のEUVマスクにEUV光を照射してウエハ上に形成されたレジストにパターンを転写する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

EUV(Extremely Ultra Violet)リソグラフィ用のEUVマスクのパターンにおける日向面側と日陰面側とにEUV露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、前記EUVマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する第1工程と、 前記決定された時期が到来した場合に前記EUVマスクを交換又はクリーニングし、該交換後又はクリーニング後のEUVマスクにEUV光を照射してウエハ上に形成されたレジストにパターンを転写する第2工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/30 531E ,  H01L21/30 503G ,  G03F7/20 521

Fターム (16件)：

5F046AA22 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA27 ,  5F046DB14 ,  5F046GA03 ,  5F046GA14 ,  5F046GD10 ,  5F146AA22 ,  5F146DA01 ,  5F146DA02 ,  5F146DA27 ,  5F146DB14 ,  5F146GA03 ,  5F146GA23 ,  5F146GD00