特許
J-GLOBAL ID:201103098128680695

半導体モジュールの温度検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-311448
公開番号(公開出願番号):特開2001-133330
特許番号:特許第4284790号
出願日: 1999年11月01日
公開日(公表日): 2001年05月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】複数の素子(11、21、31)からなる半導体モジュールと、各素子に設けられ互いに並列に接続された温度検出素子(12と13、22と23、32と33)と、前記並列接続された温度検出素子の出力電圧に基づいて前記半導体モジュールの温度検出を行う温度検出回路(50)とを備えた半導体モジュールの温度検出装置において、 前記温度検出素子のぞれぞれは、 ダイオード(12)を形成するPN接合したP型領域(121a)およびN型領域(122a)と、前記P型領域および前記N型領域のうちの一方の領域から延びて形成された抵抗領域(131)とを有し、前記ダイオードと前記抵抗領域による抵抗(13)とが電気的に直列接続された構成になっており、前記抵抗領域の抵抗値は、前記P型領域および前記N型領域による抵抗値よりも大きくなっていることを特徴とする半導体モジュールの温度検出装置。
IPC (4件):
G01K 7/01 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01)
FI (3件):
G01K 7/00 391 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/91 E

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