不揮発性半導体記憶装置の評価用装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257278
特許番号：特許第3596414号
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】不揮発性半導体記憶装置とともにメモリセルアレイに含まれる該不揮発性半導体記憶装置の評価用装置であって、半導体基板に形成された不純物拡散層と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層を介在させて配置され、底面部の少なくとも一部が前記不純物拡散層と連続するフローティングゲートと、前記フローティングゲートと第2の絶縁層を介して分離されたコントロールゲートと、を含み、前記評価用装置は、前記不揮発性半導体記憶装置と同様の大きさおよび形状を有し、前記不純物拡散層および前記コントロールゲートにそれぞれ電極が接続されている、不揮発性半導体記憶装置の評価用装置。

IPC (6件)：