特許
J-GLOBAL ID：201103098199303353
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-012406
公開番号（公開出願番号）：特開平2-192768
出願日： 1989年01月20日
公開日（公表日）： 1990年07月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(イ) 半導体基板(1)表面に第1絶縁膜(10),第1半導体層(11),第2絶縁膜(20),第2半導体層(21)を順に積層し、該第2半導体層(21)表面に、マスク材(3)を形成する工程と、(ロ) 該マスク材(3)を用いて、該第2半導体層(21)を該第2絶縁膜(20)が露出するまで選択除去して、第1の電極(211)を形成する工程と、(ハ) 該マスク材(3)をマスクとして、露出した該第2絶縁膜(20)をリアクティブイオンエッチング法を用いて選択除去して、前記第1半導体層(11)を露出させる工程と、(ニ) 前記(ハ)の工程で該第1の電極(211)側面に形成された薄膜(30)を、エッチング除去する工程と、(ホ) 前記マスク材(3)をマスクとして、露出した前記第1半導体層(11)を食刻除去して、第2の電極(111)を形成する工程と、(ヘ) 前記マスク材(3)を除去する工程と、(ト) 前記第1の電極(211)をマスクとして、前記半導体基板(1)表面に不純物イオン(4)を注入して不純物層(41)を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
