成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-032291
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171424
出願日： 2010年02月17日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第1温度で第1膜を形成する第1膜形成工程と、前記基体及び前記第1膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第1温度から、前記第1温度よりも高い第2温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第1膜の上に、シランを用いて前記第2温度で第2膜を形成する第2膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第1温度で第1膜を形成する第1膜形成工程と、前記基体及び前記第1膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第1温度から、前記第1温度よりも高い第2温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第1膜の上に、シランを用いて前記第2温度で第2膜を形成する第2膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法。

IPC (10件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/24 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (7件)：

H01L21/205 , H01L21/28 301A , H01L21/285 C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , C23C16/24 , H01L21/88 P

Fターム (81件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA29 , 4K030BB05 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD45 , 4M104EE06 , 4M104FF13 , 4M104GG16 , 4M104HH12 , 4M104HH13 , 5F033HH04 , 5F033LL01 , 5F033LL03 , 5F033LL04 , 5F033PP03 , 5F033PP09 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR08 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW10 , 5F033XX01 , 5F033XX04 , 5F033XX10 , 5F045AA03 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045CA05 , 5F045HA06 , 5F045HA16 , 5F045HA22 , 5F083EP03 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083EP76 , 5F083GA02 , 5F083GA11 , 5F083GA22 , 5F083GA27 , 5F083JA33 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA23 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH16

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