特許

J-GLOBAL ID：201103098348155010

サイリスタ

発明者： 宍戸 長次
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-318808
公開番号（公開出願番号）：特開平3-181174
特許番号：特許第2837717号
出願日： 1989年12月11日
公開日（公表日）： 1991年08月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電型の第1半導体層と、導電型を異にして該1半導体層上に積層された第2半導体層と、導電型を異にして該第2半導体層上に積層された第3半導体層と、該第3半導体層の主面の所定領域に導電型を異にして積層された第4半導体層と、前記第3半導体層の主面の周縁部領域から前記第2半導体層内まで延出するように形成されたベベル溝と具備するサイリスタにおいて、ベベル溝から該ベベル溝に最近傍の第4半導体層に至る間の第3半導体層の不純物濃度が、主表面で最高値になるように該半導体層の表面がエッチング除去されたことを特徴とするサイリスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/744 ,  H01L 29/74

FI (2件)：

H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-206155
  
• 特開昭55-138873