液晶表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-035418
公開番号（公開出願番号）：特開2011-197657
出願日： 2011年02月22日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物(水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流(オフ電流)を少なくすることができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域における寄生容量を削除することが可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平行又は略平行に配列された第1の走査線及び第2の走査線と、前記第1の走査線及び前記第2の走査線に直交又は略直交に配列された第1の信号線及び第2の信号線と、ゲートが前記第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素電極層に電気的に接続された、酸化物半導体層を具備するトランジスタと、を有し、前記第1の信号線及び前記第2の信号線は、前記第1の走査線及び前記第2の走査線上に設けられた絶縁層を介して、前記第1の走査線及び前記第2の走査線と立体交差しており、前記第1の信号線は、前記第1の走査線と立体交差する第1の領域及び前記第2の走査線と立体交差する第2の領域において上面が凸面形状を有し、且つ前記第1の領域及び前記第2の領域の間の領域において上面が平面形状又は略平面形状を有し、前記画素電極層は、前記第1の走査線、前記第2の走査線、前記第1の信号線、及び前記第2の信号線に囲まれた領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 , H01L 29/786

FI (4件)：

G02F1/1368 , H01L29/78 618B , H01L29/78 612C , H01L29/78 619A

Fターム (67件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KA08 , 2H092NA21 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-137825
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-079294 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217273 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

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