特許

J-GLOBAL ID：201103099033012195

半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置

発明者： 仲野 純章
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-286107
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129669
出願日： 2009年12月17日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置において、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、実装基板8とを備えている。実装基板8と半導体チップとの間には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップは、基板1と、電極パッド2と、第1の開口部3oを有する第1の保護膜3と、アンダーバリアメタル膜5と、バンプ6とを備えている。第1の保護膜3は、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有している。アンダーバリアメタル膜5における第1の保護膜3と接触する側部5p、及びバンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に形成された電極パッドと、 前記基板及び電極パッドの周縁部の上に形成され、前記電極パッドの中央部を露出する第1の開口部を有する第1の保護膜と、 前記電極パッドの中央部、及び第1の保護膜における前記第1の開口部の周縁に位置する部分の上に形成されたアンダーバリアメタル膜と、 前記アンダーバリアメタル膜の上に形成されたバンプとを備え、 前記第1の保護膜は、 前記基板の上面に形成された基板部と、 前記電極パッドの側面及び前記電極パッドの上面における周縁部に形成されたパッド部とを有し、 前記アンダーバリアメタル膜における前記第1の保護膜と接触する側部、及び前記バンプにおける前記アンダーバリアメタル膜と接触する側部が、前記第1の保護膜における前記パッド部の外側面上に位置していることを特徴とする半導体チップ。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (3件)：

H01L21/92 602H ,  H01L21/92 602K ,  H01L21/60 311Q

Fターム (3件)：

5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18