自己訂正機能を有する半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-132177
公開番号（公開出願番号）：特開平2-310899
出願日： 1989年05月25日
公開日（公表日）： 1990年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート電極に電子又は正孔の電荷を帯電することにより情報を記憶する不揮発性のメモリセル複数と、これら複数のメモリセルの少なくとも1つを選択するために前記メモリセルに接続されたワード線と、これら複数のメモリセルのうち選択されたメモリセルとの間でデータの授受を行うために前記メモリセルに接続されたビット線と、前記ゲート電極に接続されたセンス線とを具える、複数のメモリセルの一部にパリティデータを記憶するメモリアレィと、前記センス線にセンス電圧を印加して前記メモリセルに記憶されたデータを読出す第1の読出し回路及び第2の読出し回路と、第1の読出し回路から得られる読出しデータ及び第2の読出し回路から得られる読出しデータのそれぞれについてパリディ検査を行うパリディ検査回路と、このパリディ検査回路の検査結果に応じて正しいとされる第1及び第2の読出し回路の一方の出力を選択する選択回路とを備え、第1の読出し回路は“1"又は“0"の情報を記憶している前記ゲート電極に帯電された電荷が抜けた状態のときに前記センス電圧をかけて前記メモリセルに流れる電流値より小さい値を前記“1"又は“0"の検出基準としてデータを読出すものであり、第2の読出し回路は“1"又は“0"の情報を記憶している前記ゲート電極に帯電された電荷が抜けた状態のときに前記センス電圧をかけて前記メモリセルに流れる電流値より大きい値を前記“1"又は“0"の検出基準としてデータを読出すものであることを特徴とする自己訂正機能を有する半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 302 6866-5L , G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 309 F 6866-5L , G11C 17/00 309 B 6866-5L

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