特許
J-GLOBAL ID：201103099248441127
反射型マスクの位相欠陥補正方法および反射型マスクの製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
金山 聡
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 藤枡 裕実
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-120402
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249512
出願日： 2010年05月26日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。【解決手段】反射型マスクブランクの吸収体層上にハードマスク層を設け、ブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、ブランクの表面欠陥検査を行い、表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録する工程と、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記欠陥情報に基づき、AFMを用いて表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、補正すべきハードマスクパターンを選定し、補正位置と補正量を決定する工程と、欠陥修正装置によりハードマスクパターンを補正する工程と、補正したハードマスクパターンをマスクにして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上にEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収体層とを少なくとも設けたEUV露光用の反射型マスクブランクを用いて作製する反射型マスクの位相欠陥補正方法であって、
(1)前記反射型マスクブランクにマスクブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、前記反射型マスクブランクの表面欠陥の検査を行い、前記表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録するとともに、前記反射型マスクブランクの前記吸収体層上に前記吸収体層をエッチングする際に使用するハードマスク層を設ける工程と、
(2)前記ハードマスク層上に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成し、前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、
(3)前記マスクブランク欠陥情報に基づいて、原子間力顕微鏡または原子間力顕微鏡と走査型電子線顕微鏡により、前記反射型マスクブランクの表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、
(4)前記計測した表面欠陥の位置と大きさに基づいて、補正すべき前記ハードマスクパターンを選定し、前記ハードマスクパターンの補正位置および補正量を決定する工程と、
(5)欠陥修正装置により前記補正すべきハードマスクパターンを修正し、前記ハードマスクパターンを補正する工程と、
(6)前記補正したハードマスクパターンをマスクにして前記吸収体層をエッチングして吸収体パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする反射型マスクの位相欠陥補正方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
, G03F1/16 F
, G03F1/16 G
2H095BA10
, 2H095BD05
, 2H095BD36
, 2H095BE03
, 5F046GD09
, 5F046GD10
, 5F046GD11
, 5F146GD00
, 5F146GD09
, 5F146GD11
