特許

J-GLOBAL ID：201103099297082841

半導体冷陰極

発明者： 宮本 恭幸 ,  栗田 昌尚
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (8件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  大山 健次郎 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176374
公開番号（公開出願番号）：特開2001-357774
特許番号：特許第3586708号
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】InP基板と、この基板上に形成されたAlAs障壁層及びGaInAs井戸層を有する二重障壁量子井戸構造型の半導体層と、この半導体層上に形成されたInP電子走行層と、このInP電子走行層上に形成されたGaInAsコンタクト層とを具えることを特徴とする、半導体冷陰極。

IPC (2件)：

H01J 1/308 ,  H01L 29/66

FI (2件)：

H01J 1/30 S ,  H01L 29/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-247965
  
• 特開平2-247965
  
• 量子化電子線発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234751   出願人：富士通株式会社