特許

J-GLOBAL ID：201103099611755228

半導体装置およびその製造方法

発明者： 青木 孝明 ,  鈴木 幹昌 ,  黒柳 晃
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210821
特許番号：特許第4192381号
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板(5)の一面に形成されたトレンチ(6)の内壁にゲート絶縁膜(7a〜7d)が形成されてなるトランジスタを有する半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜(7a〜7d)は、前記トレンチ(6)の側壁部では酸化膜(7d)のみで形成され、前記トレンチ(6)の底部では酸化膜(7a)と窒化膜(7b)と酸化膜(7c)の積層膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K