特許

J-GLOBAL ID：201103099664239957

半導体装置の製造方法

発明者： 岩崎 真也
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-285062
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129619
出願日： 2009年12月16日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】 半導体基板等を損傷することなく、結晶欠陥形成のために行われるイオン等の照射において用いる放射線遮蔽マスクを除去する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体を材料とする素子形成層と、素子形成層の下面側に設けられ、開口部を有するマスク層と、素子形成層とマスク層の間に設けられ、素子形成層およびマスク層と異なる材料によって形成されている境界層と、を有する材料ウェハを準備する材料ウェハ準備工程と、マスク層の下面側から、荷電粒子の照射を行って、素子形成層に結晶欠陥を形成する結晶欠陥形成工程と、境界層と反応し、かつ、素子形成層と反応しないエッチング材を用いて、境界層をエッチングによって除去するマスク層除去工程とを含む。半導体基板等を損傷することなく、結晶欠陥形成のために行われる荷電粒子の照射において用いる遮蔽マスクを除去することが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体を材料とする素子形成層と、素子形成層の下面側に設けられ、開口部を有するマスク層と、素子形成層とマスク層の間に設けられ、素子形成層およびマスク層と異なる材料によって形成されている境界層とを有する材料ウェハを準備する材料ウェハ準備工程と、 マスク層の下面側から材料ウェハに、荷電粒子の照射を行って、素子形成層に結晶欠陥を形成する結晶欠陥形成工程と、 境界層と反応し、かつ、素子形成層と反応しないエッチング材を用いて、境界層をエッチングによって除去するマスク層除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (9件)：

H01L29/78 658H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/91 J ,  H01L21/322 L ,  H01L21/265 Q ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102A

Fターム (10件)：

5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC12 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BF19 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-293443   出願人：サンケン電気株式会社
• 特開昭58-084432
  
• 特開昭58-084432