特許
J-GLOBAL ID:201103099797130052

架橋型高分子固体電解質の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-014708
公開番号(公開出願番号):特開2000-285751
特許番号:特許第4288440号
出願日: 2000年01月24日
公開日(公表日): 2000年10月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】一般式Iで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖Aと、一般式IIで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖B及び/又は一般式IIIで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖Cから構成される自己架橋型ブロック-グラフト共重合体に、一般式IVで表わされる反応性ポリアルキレンオキサイドとリチウム系無機塩を添加し、上記自己架橋型ブロック-グラフト共重合体及び上記反応性ポリアルキレンオキサイドを架橋反応させることを特徴とする架橋型高分子固体電解質の製造方法。 (ここに、R1は水素原子、メチル基又はエチル基、R2は水素原子又はメチル基、R3はアルキル基、アリール基、アシル基、シリル基又はシアノアルキル基、nは1〜100の整数である。また、式中下記I-aで表わされるグラフト鎖の数平均分子量は45〜4,400である。) (ここに、R4は水素原子、メチル基又はエチル基、yは2又は3である。) (ここに、R4及びR5は水素原子、メチル基又はエチル基、yは2又は3である。kとmの総計は200以上で、kとmの構成比は95:5〜50:50である。またその配列方式は、ランダムもしくは交互である。) (ここに、R6とR7は水素原子又はメチル基、R8はH2C=CHCO-、H2C=C(CH3)CO-、ビニル基、アリル基、エポキシド、炭素数25以下のアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基、R9はエチレンオキサイド又はテトラメチレンオキサイドである。eとfは共に0〜25の整数であるが、同時に0になることはなく、一方が0の場合には必ず他方が1以上の整数になる。Xは-PhC(CH3)2PhO-又は単結合を示す。なお、Phはフェニレン基を示す。)
IPC (10件):
H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C08F 2/44 ( 200 6.01) ,  C08F 290/12 ( 200 6.01) ,  C08F 299/00 ( 200 6.01) ,  C08J 3/24 ( 200 6.01) ,  C08L 55/00 ( 200 6.01) ,  H01G 9/028 ( 200 6.01) ,  H01M 6/18 ( 200 6.01) ,  H01M 10/40 ( 200 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01)
FI (10件):
H01B 13/00 Z ,  C08F 2/44 A ,  C08F 290/12 ,  C08F 299/00 ,  C08J 3/24 CER ,  C08L 55/00 ,  H01G 9/02 331 G ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B ,  H01B 1/06 A
引用特許:
出願人引用 (4件)
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